{သော့ချက်စာလုံး} ထုတ်လုပ်သူများ

ယနေ့ခေတ်၏ ပါဝါ module ဒီဇိုင်းများသည် အလူမီနီယံအောက်ဆိုဒ် (Al2O3) သို့မဟုတ် AlN ceramic ပေါ်တွင် အဓိကအခြေခံထားသော်လည်း စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ တိုးလာခြင်းကြောင့် ဒီဇိုင်နာများအား အဆင့်မြင့်အလွှာအစားထိုးရွေးချယ်စရာများကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားလာစေသည်။ ဥပမာတစ်ခုသည် chip အပူချိန် 150°C မှ 200°C တိုးလာခြင်းသည် switching losses 10% ကို လျှော့ချပေးသည့် ဥပမာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ဂဟေဆော်ခြင်းနှင့် ဝိုင်ယာကြိုးမပါသော မော်ဂျူးများကဲ့သို့သော ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာအသစ်များသည် လက်ရှိအလွှာများကို ချိတ်ဆက်မှုအားနည်းစေသည်။

Ceramic substrate သည် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ကြေးနီသတ္တုပြား (Al2O3) သို့မဟုတ် အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် (AlN) ကြွေလွှာ၏ မျက်နှာပြင်နှင့် တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည့် အထူးလုပ်ငန်းစဉ်ဘုတ်အဖွဲ့ကို ရည်ညွှန်းသည်။

MOSFETs၊ IGBTs၊ ထရန်စစ္စတာ စသည်တို့ဖြင့် ကိုယ်စားပြုသော ပင်မလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်များသည် ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာ ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းများနှင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုအပိုင်းများတွင် နေရာတစ်ခု သိမ်းပိုက်ထားသည်။ IGBT ၏ ပြည့်စုံကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့်၊

PTC အပူပေးစက်- အချို့သော လျှပ်စစ်ကားများသည် Positive Temperature Coefficient (PTC) အပူပေးကိရိယာများကို အသုံးပြုပါသည်။ PTC အပူပေးစက်များသည် အပူချိန် တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်းတို့၏ ခံနိုင်ရည် တိုးလာကာ အပူလွန်ကဲခြင်းကို တားဆီးပေးသည့် ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် အေးသော ရာသီဥတုတွင် အခန်းတွင်းကို လျှင်မြန်စွာ အပူပေးရန်အတွက် အသုံးများသည်။

ပေါက်ကွဲမှုဒဏ်ခံနိုင်သော စွမ်းအင်မြင့် မီးလောင်ကျွမ်းခြင်းအား လျှပ်စစ်၊ ရေနံဓာတုဗေဒ၊ သတ္တုဗေဒ၊ လေကြောင်း၊ အာကာသ စသည်တို့တွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြပြီး မတူညီသော လောင်စာလိုအပ်ချက်အမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်ပြီး ကျယ်ပြန့်စွာ အသုံးပြုလေ့ရှိပါသည်။ စက်မှုစက်နှိုးစက်အကွာအဝေး။

ကြွေထည်များရှေ့တွင် ပုံမှန်ဖွဲ့စည်းခြင်းနည်းလမ်း လေးမျိုးရှိသည်- အမှုန့်ဖိခြင်း (ပုံသွင်းခြင်း၊ စသည်ဖြင့်)၊ extrusion forming၊ cast form နှင့် ဖွဲ့စည်းထားပါသည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း လွယ်ကူစွာအောင်မြင်မှုနှင့် မြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကြောင့် LSI ပက်ကေ့ခ်ျများနှင့် ရောနှောပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များထုတ်လုပ်ရာတွင် Cast နည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည်။