ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာနှင့် ဆပ်စထရိတ်အကြား ကွာခြားချက်များကား အဘယ်နည်း။

အဓိကကွာခြားချက်ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာနှင့် အလွှာများသည် ၎င်းတို့၏ အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်များ၊ အသုံးပြုမှုနှင့် လက္ခဏာများဖြစ်သည်။ ့

1. အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်

ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ အထူးသဖြင့် ပါဝါမော်ဂျူးများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဓိကအားဖြင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားနှင့် ကောင်းသောအပူလိုက်ဖက်မှုရှိပြီး မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန် လိုအပ်သော လျှောက်လွှာအခြေအနေများအတွက် သင့်လျော်သည်။ Substrate : Substrate သည် များသောအားဖြင့် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုသည့် နောက်ခံပံ့ပိုးတည်ဆောက်ပုံကို ရည်ညွှန်းသည်။ အသုံးများသော အလွှာပစ္စည်းများတွင် တစ်ခုတည်းသော crystal silicon wafers၊ SOI substrates၊ SiGe substrates စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။ အလွှာ၏ရွေးချယ်မှုသည် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မန်မိုရီစသည်ဖြင့် အက်ပလီကေးရှင်းလိုအပ်ချက်များအပေါ် မူတည်ပါသည်။

၂။ ဝိသေသလက္ခဏာများ နှိုင်းယှဉ်ခြင်း။

ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာ

မြင့်မားသောအပူစီးကူးခြင်း- ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်၏အပူစီးကူးမှုသည် 80 W/m·K နှင့်အထက်ဖြစ်သည်၊ ၎င်းသည် စွမ်းအားမြင့်စက်ပစ္စည်းများ၏အပူထုတ်လွှတ်မှုလိုအပ်ချက်များအတွက်သင့်လျော်သည်။ မြင့်မားသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာကြံ့ခိုင်မှု- ၎င်းတွင်မြင့်မားသောကွေးညွတ်ကြံ့ခိုင်မှုနှင့်မြင့်မားသောအရိုးကျိုးခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိပြီး၎င်း၏မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုသေချာစေသည်။ Thermal expansion coefficient matching − ၎င်းသည် SiC crystal substrate နှင့် အလွန်ဆင်တူပြီး ၎င်းတို့နှစ်ခုကြားတွင် တည်ငြိမ်သောကိုက်ညီမှုရှိစေရန်နှင့် အလုံးစုံယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

အလွှာ

အမျိုးအစားအမျိုးမျိုး- တစ်ခုတည်းသော crystal silicon wafers၊ SOI substrates၊ SiGe substrates စသည်တို့ အပါအဝင်၊ substrate material တစ်ခုစီတွင် ၎င်း၏ သီးခြား application field နှင့် performance အားသာချက်များရှိသည်။

ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုမှု- ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မန်မိုရီစသည်ဖြင့် အမျိုးမျိုးသော ချစ်ပ်များနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုသည်။

3. လျှောက်လွှာအခြေအနေများ

ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာ- စွမ်းအင်သုံးယာဉ်အသစ်များနှင့် ခေတ်မီသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးလမ်းကြောင်းများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် ပါဝါမြင့်သောစက်ပစ္စည်းများအတွက် အဓိကအသုံးပြုသည်။ ၎င်း၏ အစွမ်းထက်သော အပူစွန့်ထုတ်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုတို့ကြောင့် ရှုပ်ထွေးသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် မြင့်မားသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှု လိုအပ်ချက်များအတွက် သင့်လျော်သည်။

Substrate : အမျိုးမျိုးသော ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရေးတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြပြီး တိကျသော အက်ပလီကေးရှင်းသည် အလွှာ၏ အမျိုးအစားပေါ် မူတည်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ တစ်ခုတည်းသော crystal silicon wafers များကို ပေါင်းစပ် circuit များနှင့် microprocessors များထုတ်လုပ်ရာတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်၊ SOI substrates များသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော၊ ပါဝါနိမ့်သော circuit များအတွက် သင့်လျော်ပြီး SiGe substrates အား heterojunction bipolar transistors နှင့် mixed signal circuit များ စသည်တို့အတွက် အသုံးပြုပါသည်။