ပါဝါအီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ရန်အတွက် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်အလွှာ

ယနေ့ခေတ်၏ ပါဝါ module ဒီဇိုင်းများသည် အလူမီနီယံအောက်ဆိုဒ် (Al2O3) သို့မဟုတ် AlN ceramic ပေါ်တွင် အဓိကအခြေခံထားသော်လည်း စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ တိုးလာခြင်းကြောင့် ဒီဇိုင်နာများအား အဆင့်မြင့်အလွှာအစားထိုးရွေးချယ်စရာများကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားလာစေသည်။ ဥပမာတစ်ခုသည် chip အပူချိန် 150°C မှ 200°C တိုးလာခြင်းသည် switching losses 10% ကို လျှော့ချပေးသည့် ဥပမာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ဂဟေဆော်ခြင်းနှင့် ဝိုင်ယာကြိုးမပါသော မော်ဂျူးများကဲ့သို့သော ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာအသစ်များသည် လက်ရှိအလွှာများကို ချိတ်ဆက်မှုအားနည်းစေသည်။

အထူးအရေးပါမှု၏ နောက်ထူးခြားချက်မှာ လေတာဘိုင်များကဲ့သို့သော ကြမ်းတမ်းသောအခြေအနေများအောက်တွင် သက်တမ်းတိုးရန် လိုအပ်သည်။ လေအားလျှပ်စစ်တာဘိုင်များသည် ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေအားလုံးအောက်တွင် ပျက်ကွက်ခြင်းမရှိဘဲ 15 နှစ်အထိ သက်တမ်းရှိမည်ဖြစ်ပြီး၊ ဤအပလီကေးရှင်း၏ ဒီဇိုင်နာများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အလွှာဆိုင်ရာနည်းပညာများကို ရှာဖွေရန်လည်း လိုအပ်ပါသည်။

ပိုမိုကောင်းမွန်သော အလွှာရွေးချယ်မှုများအတွက် တတိယမြောက် ဒရိုက်ဘာသည် SiC အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုမှုဖြစ်သည်။ SiC နှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော ထုပ်ပိုးမှုကို အသုံးပြုသည့် ပထမဆုံး module များသည် သမားရိုးကျ module များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဆုံးရှုံးမှု 40 မှ 70% ကြား လျော့ကျသွားသည်ကို ပြသခဲ့ပြီး Si3N4 အလွှာများအပါအဝင် ထုပ်ပိုးမှုနည်းလမ်းအသစ်များအတွက် လိုအပ်ကြောင်းကိုလည်း တင်ပြခဲ့ပါသည်။ ဤခေတ်ရေစီးကြောင်းများအားလုံးသည် ရိုးရာ Al2O3 နှင့် AlN အလွှာများ၏ အနာဂတ်အခန်းကဏ္ဍကို ကန့်သတ်ထားမည်ဖြစ်ပြီး Si3N4 ကိုအခြေခံထားသည့်အလွှာများသည် အနာဂတ်တွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ပါဝါမော်ဂျူးများအတွက် ဒီဇိုင်နာ၏ရွေးချယ်မှုဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။

အလွန်ကောင်းမွန်သော ကွေးညွှတ်ကြံ့ခိုင်မှု၊ မြင့်မားသောအရိုးကျိုးခြင်း ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် ကောင်းသောအပူစီးကူးမှုတို့သည် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် (Si3Ni4) အား ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်အလွှာအတွက် ကောင်းစွာသင့်လျော်သည်။ ကြွေထည်၏ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းထွက်ပေါက် သို့မဟုတ် အက်ကွဲကြီးထွားမှုကဲ့သို့သော အဓိကတန်ဖိုးများ၏ အသေးစိတ်နှိုင်းယှဉ်ချက်သည် အပူကူးယူနိုင်မှုနှင့် အပူစက်ဘီးစီးခြင်းအပြုအမူကဲ့သို့သော နောက်ဆုံးအလွှာအပြုအမူအပေါ် သိသာထင်ရှားသောသြဇာလွှမ်းမိုးမှုကို ပြသသည်။